Samsung MZ-V8P2T0BW internal solid state drive M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Part number:
MZ-V8P2T0BW
EAN:
8806090696534
> 2 TB M.2 PCI Express 4.0
> Velocidade de leitura: 7000 MB/s 1000000 IOPS
> Velocidade de escrita: 5100 MB/s 1000000 IOPS
> V-NAND MLC NVMe 1.3c
> Encriptação de hardware 256-bit AES
> Compatível com S.M.A.R.T. Suporte TRIM
> Componente para: PC/Laptop
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Descrição
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacidade da drive SSD: 2 TB, Fator de forma SSD: M.2, Velocidade de leitura: 7000 MB/s, Velocidade de escrita: 5100 MB/s, Componente para: PC/Laptop
Multimédia
Manual em PDF:
Especificação
Características
Versão NVMe
1.3c
Codificação / segurança
256-bit AES
Capacidade da drive SSD
2 TB
Fator de forma SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Sim
Tipo de memória
V-NAND MLC
Componente para
PC/Laptop
Encriptação de hardware
Sim
Velocidade de leitura
7000 MB/s
Velocidade de escrita
5100 MB/s
Leitura aleatória (4KB)
1000000 IOPS
Escrita aleatória (4KB)
1000000 IOPS
Faixas de dados de interface PCI Express
x4
Suporte TRIM
Sim
Compatível com S.M.A.R.T.
Sim
MTBF
1500000 h
Gestão de energia
Voltagem operativa
3,3 V
Consumo de energia (máx)
7,2 W
Consumo de energia (média)
6,1 W
Consumo de energia (standby)
0,035 W
Pesos e dimensões
Largura
80,2 mm
Profundidade
2,38 mm
Altura
22,1 mm
Peso
9 g
Embalagem
Tipo de embalagem
Caixa
Condições ambientais
Temperatura de funcionamento (T-T)
0 - 70 °C
Temperatura máxima de operação
70 °C
Temperatura mínima de funcionamento
0 °C
Choque operacional
1500 G
Dados logísticos
Código de Sistema Harmonizado (HS)
84717070
SKU:
1624948
